제시한 입력 특성은 게르마늄 PNP 트랜지스터 , 더 구체적으로는 그림 1에 표시된 Texas Instruments 2N337 1 을 참조하고 있습니다 .
이제 이러한 특성의 계열에 대한 방정식을 다시 생각해 보겠습니다.
출력 전압 V CE 의 주어진 값에 대해 방정식 (1)은 베이스 전류 I B 가 아닌 에미터 전류 I E 의 함수여야 하기 때문에 pn 접합 의 전압-전류 특성과 정확히 일치하지 않는다는 것을 알 수 있습니다 .
또한 우리는 전류와 출력 전압 V CE가 음수인 분극 전압 V CC (그림 2) 의 부호에 대한 규칙을 상기합니다 . V BE 의 부호는 절대값을 취하고 어떤 경우든 에미터 접합 J E가 순방향 바이어스라고 가정하여 표현되지 않은 채로 둡니다 .
하지만 위에서 언급한 특성의 역함수를 써보도록 하겠습니다. 그러면 지수 대신 로그가 나타나게 됩니다.
여기서 I 0 > 0은 "역포화 전류" 항이지만 에미터 접합의 항은 아닙니다. 방정식(2)는 입력 특성의 추세를 정당화하려는 매우 원시적인 시도라는 점에 유의하십시오. 사실, 이 방정식에는 방정식(1)에서 요구하는 대로 매개변수 V CE가 있어야 합니다.
그런 다음 일련의 측정을 수행했습니다(실온: V T = 26 mV). 수집기를 에미터와 단락 회로에 두었습니다( V CE = 0). 측정된 데이터는 표 1에 보고되어 있습니다.
그래프와 관련 적합도는 그림 3에 나와 있습니다. 얻은 분석적 표현식은 다음과 같습니다.
I 0 = 0 . 1 mA , V 0 = 10 −1 V(후자는 정규화/차원화 퍼텐셜)입니다. 앞서 언급한 표에서 I B = 0인 경우 | V BE | = 0 . 0029 mV임을 알 수 있습니다. 기대값은 0이고(측정값은 실험 오차 범위 내에 있음) 이러한 조건에서 컬렉터와 에미터는 베이스에 단락됩니다. | I B |가 증가함에 따라 전압 | V BE |가 느리게 증가하고 접합에서 일반적인 오프셋 항이 있음을 알 수 있습니다.
유사한 실험 절차를 수행하여 나머지 특성을 재구성하는 것이 가능합니다. 그러나 방정식(3)에 표시된 것과 다른 법칙을 갖게 됩니다.