입력 임피던스는 아래 그림에 표시된 회로 구성에 따라 상당히 달라집니다. 또한 바이어스에 따라서도 달라집니다. 여기서는 고려하지 않았지만, 입력 임피던스는 복소수이며 주파수에 따라 달라집니다. 공통 이미터와 공통 컬렉터의 경우, 입력 임피던스는 베이스 저항에 β를 곱한 값입니다. 베이스 저항은 트랜지스터 내부와 외부 모두에 존재할 수 있습니다.
공동수금자의 경우 :
R = βR E 공통 이미터 회로 의 경우 조금 더 복잡합니다 . 이미터 내부 저항 rEE를 알아야 합니다 .
이는 다음과 같이 주어집니다.
r EE = KT/I E m 여기서: K=1.38×10-23 와트 -초/ o C, 볼츠만 상수 T= 켈빈 온도 ≅300. I E = 이미터 전류 m = 실리콘의 경우 1~2로 변함 R E ≅ 0.026V/I E = 26mV/I E 따라서 공통 이미터 회로 Rin의 경우
린 = βr EE 예를 들어 a, β = 100, CE 구성의 입력 저항은 1 mA로 편향됩니다.
r EE = 26mV/1mA = 26Ω Rin = βr EE = 100(26) = 2600Ω또한, 공동수집자의 보다 정확한 Rin에는 Re'가 포함되어야 합니다.
린 = β(R E + r EE )위의 방정식은 이미터 저항이 있는 공통 이미터 구성에도 적용할 수 있습니다.
공통 베이스 구성에 대한 입력 임피던스는 Rin = r EE 입니다 .
공통 컬렉터 구성의 높은 입력 임피던스는 고임피던스 소스에 매칭됩니다. 크리스털 또는 세라믹 마이크가 그러한 고임피던스 소스 중 하나입니다. 공통 베이스 배열은 RF(무선 주파수) 회로에서 저임피던스 소스(예: 50Ω 동축 케이블 피드)를 매칭하는 데 종종 사용됩니다. 중간 임피던스 소스의 경우 공통 이미터가 좋은 매칭이 됩니다. 다이내믹 마이크가 그 예입니다.
세 가지 기본 구성의 출력 임피던스는 아래 그림에 나와 있습니다. 공통 이미터 구성의 적당한 출력 임피던스는 일반적인 용도로 널리 사용됩니다. 공통 컬렉터 구성의 낮은 출력 임피던스는 임피던스 정합, 예를 들어 4옴 스피커에 대한 변압기 없는 정합에 유용하게 사용됩니다. 출력 임피던스에 대한 간단한 공식은 없는 듯합니다. 그러나 R. Victor Jones는 출력 저항에 대한 식을 개발했습니다. [RVJ]
GE 트랜지스터 매뉴얼, 그림 1.21에서 발췌한 증폭기 특성입니다.