전자일기

오픈 컬렉터 출력 개방형 컬렉터 출력은 호환되지 않는 부하를 전환하는 데 매우 유용하지만 올바른 전환 동작을 보장하려면 풀업 또는 풀다운 저항이 필요할 수 있습니다. 개방형 컬렉터 출력은 디지털 칩 설계, 연산 증폭기 및 마이크로컨트롤러(Arduino) 유형 애플리케이션에서 다른 회로와의 인터페이스 또는 전기적 특성과 호환되지 않을 수 있는 표시 램프 및 릴레이와 같은 고전류 부하 구동을 위해 점점 더 보편화되고 있습니다. 제어 회로. 그러나 "오픈 컬렉터"는 무엇을 의미하며 회로 설계 내에서 이를 어떻게 사용할 수 있습니까? 우리는 이전 튜토리얼을 통해 바이폴라 접합 트랜지스터가 NPN 유형이든 PNP 유형이든 3단자 장치라는 것을 알고 있습니다. 이 세 개의 터미널은 Emitter , Base 및 C..

FET 전류 소스 FET 정전류 소스는 JFET 및 MOSFET을 사용하여 부하 저항 또는 공급 전압의 변화에도 불구하고 일정하게 유지되는 부하 전류를 제공합니다. FET 전류 소스는 전계 효과 트랜지스터를 사용하여 회로에 일정한 양의 전류를 공급하는 능동 회로 유형입니다 . 그런데 왜 일정한 전류를 원합니까? 정전류 소스 및 전류 싱크(전류 싱크는 전류 소스의 반대임)는 단 하나의 전류 소스를 사용하여 100uA, 1mA 또는 20mA와 같은 일정한 전류 값으로 바이어스 회로 또는 전압 기준을 형성하는 매우 간단한 방법입니다. FET 및 저항기. 정전류 소스는 정확한 타이밍 목적을 위한 커패시터 충전 회로나 재충전 가능한 배터리 충전 애플리케이션뿐만 아니라 일정한 밝기로 LED 스트링을 구동하기 위한 ..

트랜지스터 튜토리얼 요약 이 트랜지스터 튜토리얼 섹션의 주요 내용을 다음과 같이 요약할 수 있습니다. 접합 및 절연 게이트 모두인 NPN 및 PNP 양극 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)의 구성 및 작동을 살펴본 후 아래에 설명된 대로 이러한 트랜지스터 자습서의 주요 요점을 요약할 수 있습니다. BJT ( 양극성 접합 트랜지스터 )는 서로 결합된 두 개의 반도체 다이오드 접합(하나는 순방향 바이어스, 다른 하나는 역방향 바이어스)으로 구성된 3층 장치입니다. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)에는 NPN 과 PNP 트랜지스터 의 두 가지 주요 유형이 있습니다 . 바이폴라 접합 트랜지스터는 훨씬 더 작은 베이스 전류가 더 큰 이미터 - 컬렉터 전류를 흐르게 하는 " 전류 작동 장치 "..

달링턴 트랜지스터 2개의 바이폴라 트랜지스터로 구성된 달링턴 트랜지스터 구성은 주어진 기본 전류에 대해 증가된 전류 스위칭을 제공합니다. 발명가 Sidney Darlington의 이름을 딴 달링턴 트랜지스터는 서로 연결된 두 개의 표준 NPN 또는 PNP 양극 접합 트랜지스터(BJT)를 특수하게 배열한 것 입니다 . 한 트랜지스터의 이미터는 다른 트랜지스터의 베이스에 연결되어 전류 증폭 또는 스위칭이 필요한 응용 분야에 유용한 훨씬 더 큰 전류 이득을 갖춘 보다 민감한 트랜지스터를 생성합니다. 달링턴 트랜지스터 쌍은 개별적으로 연결된 두 개의 양극성 트랜지스터 또는 표준(베이스, 이미터 및 컬렉터 연결 리드)을 사용하여 단일 패키지로 상업적으로 제조된 하나의 단일 장치로 만들 수 있으며 다양한 케이스 스..

스위치로서의 MOSFET MOSFET은 차단 영역과 포화 영역 사이에서 작동하므로 부하 제어 및 CMOS 디지털 회로에 매우 우수한 전자 스위치를 만듭니다. 이전에 e-MOSFET(N채널 강화 모드 MOSFET)은 양의 입력 전압을 사용하여 작동하고 매우 높은 입력 저항(거의 무한대)을 가지므로 거의 무한대와 인터페이스할 때 MOSFET을 스위치로 사용할 수 있다는 것을 확인했습니다. 양의 출력을 생성할 수 있는 논리 게이트 또는 드라이버. 또한 매우 높은 입력(게이트) 저항으로 인해 필요한 전류 처리 용량을 달성할 때까지 다양한 MOSFET을 안전하게 병렬로 연결할 수 있다는 것도 확인했습니다. 다양한 MOSFET을 병렬로 연결하면 고전류 또는 고전압 부하를 전환할 수 있지만 그렇게 하면 부품과 회로 ..

MOSFET 금속 산화물 FET는 JFET와 동일하게 작동하지만 전도성 채널로부터 전기적으로 절연된 게이트 단자를 가지고 있습니다. JFET(Junction Field Effect Transistor) 외에도 게이트 입력이 주 전류 전달 채널로부터 전기적으로 절연된 또 다른 유형의 전계 효과 트랜지스터가 있습니다. MOSFET은 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Insulated Gate Field Effect Transistor) 라고 불리는 일종의 반도체 장치입니다 . 다양한 유형의 전자 회로에 사용되는 가장 일반적인 유형의 절연 게이트 FET를 줄여서 MOSFET 이라고 합니다 . IGFET 또는 MOSFET은 매우 얇은 절연 재료 층에 의해 주 반도체 n채널 또는 p채널로부터 전기적으로 절연되는 ..

접합 전계 효과 트랜지스터 JFET(Junction Field Effect Transistor)는 N채널 및 P채널 구성으로 사용할 수 있는 전압 제어형 3단자 단극 반도체 장치입니다. 접합 전계 효과 트랜지스터는 두 전극 사이의 전류 흐름이 역방향 바이어스 pn 접합에서 전기장의 작용에 의해 제어되는 단극 장치입니다. 양극성 접합 트랜지스터 튜토리얼 에서 우리는 트랜지스터의 출력 콜렉터 전류가 장치의 베이스 단자로 흐르는 입력 전류에 비례한다는 것을 확인했습니다. 이로 인해 바이폴라 트랜지스터는 더 작은 전류를 사용하여 더 큰 부하 전류를 전환할 수 있으므로 "CURRENT" 작동 장치(베타 모델)가 됩니다. 그러나 전계 효과 트랜지스터 또는 간단히 FET는 게이트 라고 하는 입력 단자에 적용되는 전압..

스위치로서의 트랜지스터 트랜지스터 스위치는 포화 또는 차단 상태의 트랜지스터를 사용하여 저전압 DC 장치(예: LED)를 켜거나 끄는 데 사용할 수 있습니다. AC 신호 증폭기로 사용될 때 트랜지스터 베이스 바이어싱 전압은 항상 "활성" 영역 내에서 작동하는 방식으로 적용됩니다. 즉, 출력 특성 곡선의 선형 부분이 사용됩니다. 그러나 NPN 및 PNP 유형 바이폴라 트랜지스터는 트랜지스터를 스위치로 다르게 작동시키는 트랜지스터의 베이스 단자를 바이어싱하여 "ON/OFF" 유형의 고체 스위치로 작동하도록 만들 수 있습니다. 솔리드 스테이트 스위치는 DC 출력을 "ON" 또는 "OFF"로 전환하기 위해 트랜지스터를 사용하는 주요 애플리케이션 중 하나입니다. LED와 같은 일부 출력 장치는 논리 레벨 DC 전..

PNP 트랜지스터 PNP 트랜지스터는 이전 튜토리얼에서 살펴본 NPN 트랜지스터 장치 와 정반대입니다 . 기본적으로 이러한 유형의 PNP 트랜지스터 구성에서는 두 개의 상호 연결된 다이오드가 이전 NPN 트랜지스터와 반대입니다. 이는 PNP 트랜지스터 기호에서 안쪽을 가리키는 이미터 단자를 정의하는 화살표와 함께 포지티브 - 네거티브 - 포지티브 유형의 구성을 생성합니다. 또한 PNP 트랜지스터 의 모든 극성은 반전됩니다. 즉, 베이스를 통해 전류를 "공급"하는 NPN 트랜지스터와 달리 베이스로 전류를 "싱크"합니다. 두 가지 유형의 트랜지스터 사이의 주요 차이점은 홀이 PNP 트랜지스터의 더 중요한 캐리어인 반면, 전자는 NPN 트랜지스터의 중요한 캐리어라는 것입니다. 그런 다음 PNP 트랜지스터는 작..

NPN 트랜지스터 NPN 트랜지스터는 증폭기 또는 전자 스위치로 작동할 수 있는 3단자, 3층 장치입니다. 이전 튜토리얼에서 우리는 표준 바이폴라 트랜지스터 (BJT)가 두 가지 기본 형태로 제공된다는 것을 확인했습니다. NPN ( Negative - Positive - Negative ) 구성과 PNP ( Positive - Negative - Positive ) 구성입니다 . 즉, NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터 유형이 있습니다. 가장 일반적으로 사용되는 트랜지스터 구성은 NPN 트랜지스터 입니다 . 또한 바이폴라 트랜지스터의 접합부는 공통 베이스 , 공통 이미터 및 공통 컬렉터의 세 가지 방법 중 하나로 바이어스될 수 있다는 것을 배웠습니다 . 바이폴라 트랜지스터에 대한 이 튜토리얼에서는 아래..