전자일기

달링턴 트랜지스터 2개의 바이폴라 트랜지스터로 구성된 달링턴 트랜지스터 구성은 주어진 기본 전류에 대해 증가된 전류 스위칭을 제공합니다. 발명가 Sidney Darlington의 이름을 딴 달링턴 트랜지스터는 서로 연결된 두 개의 표준 NPN 또는 PNP 양극 접합 트랜지스터(BJT)를 특수하게 배열한 것 입니다 . 한 트랜지스터의 이미터는 다른 트랜지스터의 베이스에 연결되어 전류 증폭 또는 스위칭이 필요한 응용 분야에 유용한 훨씬 더 큰 전류 이득을 갖춘 보다 민감한 트랜지스터를 생성합니다. 달링턴 트랜지스터 쌍은 개별적으로 연결된 두 개의 양극성 트랜지스터 또는 표준(베이스, 이미터 및 컬렉터 연결 리드)을 사용하여 단일 패키지로 상업적으로 제조된 하나의 단일 장치로 만들 수 있으며 다양한 케이스 스..

스위치로서의 MOSFET MOSFET은 차단 영역과 포화 영역 사이에서 작동하므로 부하 제어 및 CMOS 디지털 회로에 매우 우수한 전자 스위치를 만듭니다. 이전에 e-MOSFET(N채널 강화 모드 MOSFET)은 양의 입력 전압을 사용하여 작동하고 매우 높은 입력 저항(거의 무한대)을 가지므로 거의 무한대와 인터페이스할 때 MOSFET을 스위치로 사용할 수 있다는 것을 확인했습니다. 양의 출력을 생성할 수 있는 논리 게이트 또는 드라이버. 또한 매우 높은 입력(게이트) 저항으로 인해 필요한 전류 처리 용량을 달성할 때까지 다양한 MOSFET을 안전하게 병렬로 연결할 수 있다는 것도 확인했습니다. 다양한 MOSFET을 병렬로 연결하면 고전류 또는 고전압 부하를 전환할 수 있지만 그렇게 하면 부품과 회로 ..

MOSFET 금속 산화물 FET는 JFET와 동일하게 작동하지만 전도성 채널로부터 전기적으로 절연된 게이트 단자를 가지고 있습니다. JFET(Junction Field Effect Transistor) 외에도 게이트 입력이 주 전류 전달 채널로부터 전기적으로 절연된 또 다른 유형의 전계 효과 트랜지스터가 있습니다. MOSFET은 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(Insulated Gate Field Effect Transistor) 라고 불리는 일종의 반도체 장치입니다 . 다양한 유형의 전자 회로에 사용되는 가장 일반적인 유형의 절연 게이트 FET를 줄여서 MOSFET 이라고 합니다 . IGFET 또는 MOSFET은 매우 얇은 절연 재료 층에 의해 주 반도체 n채널 또는 p채널로부터 전기적으로 절연되는 ..

접합 전계 효과 트랜지스터 JFET(Junction Field Effect Transistor)는 N채널 및 P채널 구성으로 사용할 수 있는 전압 제어형 3단자 단극 반도체 장치입니다. 접합 전계 효과 트랜지스터는 두 전극 사이의 전류 흐름이 역방향 바이어스 pn 접합에서 전기장의 작용에 의해 제어되는 단극 장치입니다. 양극성 접합 트랜지스터 튜토리얼 에서 우리는 트랜지스터의 출력 콜렉터 전류가 장치의 베이스 단자로 흐르는 입력 전류에 비례한다는 것을 확인했습니다. 이로 인해 바이폴라 트랜지스터는 더 작은 전류를 사용하여 더 큰 부하 전류를 전환할 수 있으므로 "CURRENT" 작동 장치(베타 모델)가 됩니다. 그러나 전계 효과 트랜지스터 또는 간단히 FET는 게이트 라고 하는 입력 단자에 적용되는 전압..

스위치로서의 트랜지스터 트랜지스터 스위치는 포화 또는 차단 상태의 트랜지스터를 사용하여 저전압 DC 장치(예: LED)를 켜거나 끄는 데 사용할 수 있습니다. AC 신호 증폭기로 사용될 때 트랜지스터 베이스 바이어싱 전압은 항상 "활성" 영역 내에서 작동하는 방식으로 적용됩니다. 즉, 출력 특성 곡선의 선형 부분이 사용됩니다. 그러나 NPN 및 PNP 유형 바이폴라 트랜지스터는 트랜지스터를 스위치로 다르게 작동시키는 트랜지스터의 베이스 단자를 바이어싱하여 "ON/OFF" 유형의 고체 스위치로 작동하도록 만들 수 있습니다. 솔리드 스테이트 스위치는 DC 출력을 "ON" 또는 "OFF"로 전환하기 위해 트랜지스터를 사용하는 주요 애플리케이션 중 하나입니다. LED와 같은 일부 출력 장치는 논리 레벨 DC 전..

PNP 트랜지스터 PNP 트랜지스터는 이전 튜토리얼에서 살펴본 NPN 트랜지스터 장치 와 정반대입니다 . 기본적으로 이러한 유형의 PNP 트랜지스터 구성에서는 두 개의 상호 연결된 다이오드가 이전 NPN 트랜지스터와 반대입니다. 이는 PNP 트랜지스터 기호에서 안쪽을 가리키는 이미터 단자를 정의하는 화살표와 함께 포지티브 - 네거티브 - 포지티브 유형의 구성을 생성합니다. 또한 PNP 트랜지스터 의 모든 극성은 반전됩니다. 즉, 베이스를 통해 전류를 "공급"하는 NPN 트랜지스터와 달리 베이스로 전류를 "싱크"합니다. 두 가지 유형의 트랜지스터 사이의 주요 차이점은 홀이 PNP 트랜지스터의 더 중요한 캐리어인 반면, 전자는 NPN 트랜지스터의 중요한 캐리어라는 것입니다. 그런 다음 PNP 트랜지스터는 작..

NPN 트랜지스터 NPN 트랜지스터는 증폭기 또는 전자 스위치로 작동할 수 있는 3단자, 3층 장치입니다. 이전 튜토리얼에서 우리는 표준 바이폴라 트랜지스터 (BJT)가 두 가지 기본 형태로 제공된다는 것을 확인했습니다. NPN ( Negative - Positive - Negative ) 구성과 PNP ( Positive - Negative - Positive ) 구성입니다 . 즉, NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터 유형이 있습니다. 가장 일반적으로 사용되는 트랜지스터 구성은 NPN 트랜지스터 입니다 . 또한 바이폴라 트랜지스터의 접합부는 공통 베이스 , 공통 이미터 및 공통 컬렉터의 세 가지 방법 중 하나로 바이어스될 수 있다는 것을 배웠습니다 . 바이폴라 트랜지스터에 대한 이 튜토리얼에서는 아래..

양극성 트랜지스터 바이폴라 접합 트랜지스터는 스위칭이나 증폭에 사용할 수 있는 반도체 소자입니다. 두 개의 반도체 재료로 구성되어 하나의 간단한 pn 접합을 형성하는 반도체 다이오드와는 다릅니다. 바이폴라 트랜지스터는 증폭기의 특성과 특성을 가진 장치를 생산하기 위해 반도체 재료의 한 층을 더 사용합니다. 두 개의 개별 신호 다이오드를 연속적으로 연결하면 공통 양극 (P) 또는 음극 (N) 터미널을 공유하는 직렬로 연결된 두 개의 PN 접합이 제공됩니다. 이 두 다이오드의 융합으로 바이폴라 접합 트랜지스터 ( BJT) 의 기초를 형성하는 3층, 2접합, 3단자 장치가 생성됩니다 . 트랜지스터는 작은 신호 전압을 적용하여 절연체 또는 도체 역할을 할 수 있는 다양한 반도체 재료로 만들어진 3단자 활성 장치..

오디오 변압기 오디오 변압기는 증폭기와 스피커의 결합 및 임피던스 매칭을 위한 오디오 증폭기 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다. 변압기에는 신호 전압을 높이거나(증가) 낮추는(감소) 것 외에도 매우 유용한 특성인 절연 이 있습니다 . 1차 권선과 2차 권선 사이에 직접적인 전기 연결이 없기 때문에 변압기는 입력 회로와 출력 회로 사이에 완전한 전기 절연을 제공합니다. 이 절연 특성은 앰프와 스피커 사이에 연결된 오디오 변압기에서도 사용할 수 있습니다. 이 섹션에서 변압기에 대해 살펴보았는데, 변압기는 입력 측과 출력 측이 물리적으로 서로 연결되지 않은 채 정현파 입력 신호(예: 오디오 신호 또는 전압)가 출력 신호 또는 전압을 생성할 수 있도록 하는 전기 장치입니다. 다른. 이 결합은 연자성 철심 ..

변압기 전압 조정 변압기 전압 조절은 연결된 부하 전류의 변화로 인해 변압기 출력 단자 전압이 무부하 값에서 위 또는 아래로 변하는 비율 또는 백분율 값입니다. 전압 조정은 출력 2차 전압이 예상과 다를 수 있으므로 변압기가 다양한 부하 조건에서 일정한 2차 전압을 얼마나 잘 유지할 수 있는지를 측정하는 것입니다. 변압기의 1차 권선에 전원이 공급되면 변압기 권선비(TR)에 의해 결정되는 양으로 2차 전압과 전류가 생성됩니다. 단상 변압기의 강압 권선비가 2:1이고 240V가 고전압 1차 권선에 적용되는 경우 2차 권선의 출력 단자 전압은 120VAC가 이상적이라고 가정하므로 예상할 수 있습니다. . 그러나 실제 세계에서는 권선형 자기 회로이므로 이것이 항상 사실인 것은 아닙니다. 모든 변압기는 I 2 ..